シリコンをエッチングするというとドライエッチングとウエットエッチングという二つに有名です。ドライエッチングについては、使ったことが無いのでここであげません。自分で教科書なりで使って調べてください。
ウエットエッチングは、溶液を使った除去加工です。ウエットエッチングは、削る速度がドライに比べて速いです。主にマクロ的な加工に向いています。ナノメートル加工をウエットでやるのは、最近良く使えるレベルに達した内容も出てきていますが、数nm加工だと難しいと思います。プラズマエッチングやフォトリソグラフィーの方が、正確で細かく加工できます。でもこれらはマクロ的な加工に、向いていません。用途によって使いわけていく必要があります。
ウエットエッチングでは、ウエットというだけあって溶液でシリコンを溶かすというイメージをしてもらえばわかりやすいでしょう。うちで良く使う溶液は、フッ酸とフッ酸・硝酸の混合液（フッ硝酸）と水酸化カリウムです。
溶液によるエッチングは、等方性エッチングが多いです。Siを例に取るとSi(100)・(110)・(111)面どの方向に対しても同じ速度で削れていきます。Si基板に溝を掘ると四角形に成らずに染み込んで削れて行くので半楕円形型に削れます。異方性エッチングは、方位面に対して削れる速度の違いを利用して特定の方向だけ削るエッチングです。
図も書いて見ました。Si(100)基板を例に取って考えますと等方性エッチングの場合は、方位面どこでも同じ速度で削れて行きます。しかし異方性の場合は、(111)方向のボンドが一本のみなので(100)(110)に比べてエッチング速度が遅いく成ります。台形型・V字型に削れます。
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を参考にすると良くわかると思います。
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